8 月 29 日消息，SK 海力士今日宣布，全球首次成功开发出采用第六代 10 纳米级（1c）工艺的 16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展现了 10 纳米出头的超微细化存储工艺技术。
SK 海力士强调：“随着 10 纳米级 DRAM 技术的世代相传，微细工艺的难度也随之加大，但公司以通过业界最高性能得到认可的第五代（1b）技术力为基础，提高了设计完成度，率先突破了技术极限。公司将在年内完成 1c DDR5 DRAM 的量产准备，从明年开始供应产品，引领半导体存储器市场发展。”
SK 海力士以 1b DRAM 平台扩展的方式开发了 1c 工艺。SK 海力士技术团队认为，由此不仅可以减少工艺高度化过程中可能发生的尝试错误，还可以最有效地将业界内以最高性能 DRAM 受到认可的 SK 海力士 1b 工艺优势转移到 1c 工艺。
而且，SK 海力士在部分 EUV 工艺中开发并适用了新材料，也在整个工艺中针对 EUV 适用工艺进行了优化，由此确保了成本竞争力。与此同时，在 1c 工艺上也进行了设计技术革新，与前一代 1b 工艺相比，其生产率提高了 30% 以上。
据了解，此次 1c DDR5 DRAM 将主要用于高性能数据中心，其运行速度为 8Gbps（每秒 8 千兆比特），与前一代相比速度提高了 11%。另外，能效也提高了 9% 以上。随着 AI 时代的到来，数据中心的耗电量在继续增加，如果运营云服务的全球客户将 SK 海力士 1c DRAM 采用到数据中心实盘期货配资，公司预测其电费最高能减少 30%。
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